抗ESD的VDMOS器件的研制  

作　　者：刘宗贺 

机构地区：[1]深圳深爱半导体股份有限公司,广东深圳518118

出　　处：《硅谷》2011年第14期58-59,48,共3页

摘　　要：ESD是导致VDMOS器件损坏的一个重要原因,通过分析VDMOS器件ESD损坏的机理,提出在VDMOS器件的内部制造ESD保护单元,为节约芯片面积,提出在VDMOS器件的栅压焊区位置制造连接栅源的齐纳二极管,通过串联齐纳二极管达到ESD保护单元一定的耐压要求。并介绍利用多晶硅来制造栅源之间的ESD保护单元,工艺简单容易实现又节约成本。

关 键 词：VDMOS ESD保护 串联齐纳二极管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]