钛金属对掺镁铌酸锂晶体表面的刻蚀效果研究  

作　　者：张培[1] 

机构地区：[1]天津中德职业技术学院

出　　处：《科学时代》2011年第8期115-116,共2页SCIENCE TIMES

摘　　要：以掺镁铌酸锂（Mg：LiNbO3）晶体为基础，通过由Mg：LiNbO3、钛膜、Mg：LiNbO3组成的夹层结构（sandwich structure）在1050至1100℃的温度下，并且通湿氧的环境中进行退火，证明了Mg：LiNbO3晶体的表面刻蚀，并验证了刻蚀深度会受到初始钛膜厚度、退火温度和退火时间的作用。结果显示，最大刻蚀深度可以达到260nm，且刻蚀表面的粗糙度小于5nm。经过对于刻蚀参数的优化，可以获得更深的刻蚀深度。这为通信领域的相关器件制作提供了新的制作方法。

关 键 词：掺镁铌酸锂晶体 钛扩散 刻蚀 

分 类 号：TN248.401[电子电信—物理电子学]