Ka波段功率PHEMT的设计与研制  

Ka band Power PHEMT

作　　者：郑雪帆[1] 陈效建[1] 高建峰[1] 王军贤[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1999年第3期266-273,共8页Research & Progress of SSE

摘　　要：报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。This paper describes the design and performance of a Ka band power PHEMT.We have successfully developed a 0.2 μm T gate double δ doping AlGaAs/InGaAs PHEMT process for the fabrication of power devices.The measured power device exhibited an output power of 280 mW with 6.0 dB gain at 33 GHz.

关 键 词：场效应晶体管 PHEMT 异质结 毫米波 设计 

分 类 号：TN386.02[电子电信—物理电子学]