循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征  

作　　者：胡运明[1] 王中光[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110015

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第11期1045-1049,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19392300-4;59701006)

摘　　要：用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。

关 键 词：扫描电镜 铜双晶体 位错结构 循环变形 晶界邻域 

分 类 号：TG146.11[一般工业技术—材料科学与工程]