东莞市中镓半导体科技有限公司  

DONGGUAN SINO NITRIDE SEMICONDUCTOR CO.,LTD

出　　处：《广东科技》2011年第13期46-46,共1页Guangdong Science & Technology

摘　　要：东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公司的创新科研团队。我公司成为国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料以及开发相关技术的企业。公司拥有多项核心国家发明专利及国际发明专利,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,成功开发出了高品质的GaN衬底系列产品,该系列产品及相关设备已批量生产及销售。

关 键 词：宽禁带半导体 东莞市 氮化镓 MOCVD技术 科技 国家发明专利 衬底材料 批量生产 

分 类 号：F426.6[经济管理—产业经济]