N^+和N_2^+注入硅的应变、应力和扩展电阻  

作　　者：尚德颖 陈桂菊 丁育胜 裴永伟[1] 王国权[1] 吴振声[1] 马德录[2] 

机构地区：[1]沈阳冶金机械专科学校 [2]辽宁大学

出　　处：《稀有金属》1990年第6期464-468,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：由离子注入形成的SOI材料制成的超大规模集成电路具有速度快、抗辐照等优点,因此SOI材料在微电子领域中将得到广泛应用。目前,形成SOI材料的途径主要是向硅中注氮或氧,在离子注入过程中将产生大量点缺陷及复杂缺陷,这些缺陷将导致晶格应变,使晶格之间产生应力。当离子半径小于晶体中原子半径时,将导致晶格收缩;反之,将使晶格膨胀。

关 键 词：SOI材料 离子注入 应变 应力 硅 氮 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]