我国纳米光刻技术研究取得突破  

出　　处：《光学仪器》2011年第3期41-41,共1页Optical Instruments

摘　　要：不久前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I—line、G-line光源获得了特征尺寸小于30nm的超分辨光刻图形。

关 键 词：纳米光刻技术 表面等离子体 光刻图形 光学实验室 微光刻技术 光电技术 line 特征尺寸 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]