100A/1200V静电感应晶闸管的设计  

The Design of 100 A/1 200 V Static Induction Thyristor

作　　者：李思渊[1] 黄仕琴[1] 薛传明 刘瑞喜[1] 张明兰 梁元涛 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》1999年第4期44-47,共4页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

摘　　要：分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．The relationship between the main electric parameters and the structure of the static induction thyristor devices has been discussed. Moreover, 100 A/1 200 V device has been designed and the results are reported here.

关 键 词：静电感应晶闸管 电参数 结构参数 设计 SITH 

分 类 号：TN386.7[电子电信—物理电子学]