CZSi中Ge增强氧外扩散现象  

Ge enhances phenomenon of out-diffusion of oxygen in CZSi

作　　者：张维连[1] 檀柏梅[1] 孙军生[1] 张恩怀[1] 张志成[1] 

机构地区：[1]河北工业大学半导体材料研究所,天津300130

出　　处：《半导体杂志》1999年第4期15-17,共3页

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(59772037);河北省自然科学基金资助项目!(594061)

摘　　要：在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外扩散。When annealing, the formation of a denuded zone has dominated by out diffusion of oxygen and volatile GeO in CZSi doped Ge. That is Ge in CZSi is in favor of intrinsic getting technology of CZSi.

关 键 词：CZSI 氧沉淀 锗 氧外扩散 退火处理 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]