SiC表面的氢等离子体处理技术  

作　　者：王海波[1] 

机构地区：[1]滨州职业学院,山东滨州256600

出　　处：《黑龙江科技信息》2011年第23期77-77,78,共2页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法的SiC表面平整度更高,C/C-H的含量显著下降,抗氧化能力显著提高提高。

关 键 词：SIC 氢等离子体 ECR RHEED XPS 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]