蒿2DEG电子迁移率的GaAs基GaAsPHEMT材料的制备  

作　　者：贾月辉[1] 贺舜[1] 刘希萌[1] 李明媚[1] 曹虹[1] 

机构地区：[1]天津大学仁爱学院

出　　处：《科学与财富》2011年第10期243-243,共1页Sciences & Wealth

摘　　要：设计并采用优化的MBE工艺制备了GaAsPHEMT结构材料，运用非接触霍尔、霍尔等测试方法研究了影响p。和ns的主要因素，优化了OaAs基GaAsPHEMT材料结构，使其u。×n。达到了2．52×10＾18／v·S。the GaAs PHEMT epitaxial material were designed and fabricated by optimized MBE technology. The factors that affect μn and ns were studied using contactless Hall and Hall. GaAs PHEMT epitaxial material with μn×ns of 2.52×1016/V＇s was obtained.

关 键 词：赝配高电子迁移率晶体管 分子束外延 非接触霍尔测试 二维电子气电子迁移率 二维电子气面密度 

分 类 号：TL341[核科学技术—核技术及应用]