SDB-SOI晶片减薄技术综述  

Review on SDB-SOI Thinning Technology

作　　者：孙涛[1] 张伟才[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《电子工业专用设备》2011年第10期33-36,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。In this paper,the characteristics and requirements of SDB-SOI thinning technology were described.Chemical mechanical polishing,electrochemical etch-stop,plasma stripping polishing techniques and smart-cut were introduced.The SDB-SOI wafer thinning trends was proposed.

关 键 词：SDB-SOI减薄 化学机械抛光 电化学自停止腐蚀 等离子抛光 智能剥离 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]