集成电路用磷铜阳极及相关问题研究  

Phosphorized Copper Anode in ULSI and studies on related problems

作　　者：高岩[1,2] 王欣平[1,2] 何金江[1,2] 刘宏宾[1,2] 江轩[1,2] 蒋宇辉[1,2] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,北京100088 [2]有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

出　　处：《中国集成电路》2011年第11期64-69,79,共7页China lntegrated Circuit

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2011ZX02705-004)

摘　　要：随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。With the development of semiconductor technology, copper interconnect is popular technology in VLSI. Damascence process is used to plate copper. The phosphorized copper anode plays an important role in plating solution. The article analyzes the Influence factors of plating quality which is the content of phosphor and oxygen, purity and grain size.

关 键 词：集成电路 电镀 磷铜 阳极 

分 类 号：TQ153.1[化学工程—电化学工业]