四面体非晶碳作为薄膜声表面波器件增频衬底的研究  

作　　者：朱嘉琦[1] 雷沛[1] 韩杰才[1] 王赛[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学航天学院,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《功能材料信息》2011年第5期17-22,共6页Functional Materials Information

摘　　要：为了提高薄膜声表面波器件工作频率,并增强功率承受能力,采用过滤阴极真空电弧技术制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,用作IDT/ZnO/Si结构的增频衬底。通过解析层状结构声表面波传播状态方程,对IDT/ZnO/ta-C/Si声表面波器件进行优化设计,计算表明,随着ta-C层厚的增加,其增频作用愈加明显,且在层厚较薄时增幅较大,当膜厚超过一定程度,增幅趋缓。利用网络分析仪测试频率响应特征,利用纳米压痕测试薄膜硬度,并利用可见光Raman和XPS表征薄膜的结构。实验表明,ta-C膜层对IDT/ZnO/Si结构声表面波滤波器起到了明显的增频作用,膜厚越大,增幅越高,测试规律与计算结果吻合良好,ta-C能够代替化学气相沉积多晶金刚石用作薄膜声表面波器件的增频衬底。

关 键 词：四面体非晶碳 薄膜声表面波器件 增频 过滤阴极真空电弧 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]