半导体光学材料及制备  

出　　处：《中国光学》1996年第6期57-57,共1页Chinese Optics

摘　　要：O472.3 96063944GaAs/Ge_xSi_1-x系统的光学性质=Optical propertiesof GaAs/Ge_xSi_1-xsystems[刊,中]/徐至中（复旦大学物理系.上海（200433））//复旦学报.自然科学版.—1995,34（5）.—586—590采用紧束缚方法计算了生长在Ge_xSi_1-x合金（001）面上的应变GaAs层的带间光跃迁振子强度,以及生长在Si（001）衬底上的应变超晶格（Si₂）₄/（GaAs）₄的三次非线性光极化率。（严寒）TN304.21 96063945InGaAsP/InP异质结构材料组分及结构的XPS测定=Precise determination & comprehensivestudy of the composition and structure ofMOCVD InP/InGaAsP/InP film[刊,中]/王典芬（武汉工业大学）,丁国庆（武汉电信器件公司）

关 键 词：三次非线性光极化率 应变超晶格 光学性质 紧束缚方法 异质结构 跃迁振子强度 材料组分 自然科学版 复旦大学 光学材料 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]