绝缘介质Al_2O_3薄膜的数字化生长技术  

DIGITAL GROWTH OF Al2O3 THIN FILMS

作　　者：赵方海[1] 刘扬[1] 郑伟[1] 马力[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区

出　　处：《仪器仪表学报》1995年第S1期167-169,共3页Chinese Journal of Scientific Instrument

摘　　要：采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。Abstract The digital growth of Al2O3 films is realized by CVD techniqe.The resultsshow that the method is with low temperature and contrullable thickness.The thickness ofeach growth cycle is about 1.19.

关 键 词：Al₂O₃薄膜 数字化 生长技术 绝缘介质 生长速率 生长厚度 衬底温度 原子层外延 国家重点实验室 光电子学 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]