具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性  

Luminescent Performances of Green InGaN/GaN MQW LED Employing Superlattices Strain Adjusting Structures

作　　者：王小丽[1] 王文新 江洋[1] 马紫光[1] 崔彦翔[1] 贾海强[1] 宋京 陈弘[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所清洁能源前沿研究重点实验室,北京100190 [2]天津中环新光科技有限公司,天津300385

出　　处：《发光学报》2011年第11期1152-1158,共7页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(60877006;60890192/F0404;50872146);科技部"973"计划(2010CB327501)资助项目

摘　　要：研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。Green InGaN/GaN multiple quantum well（MQW） LEDs employing InGaN/GaN superlattice（SL） structure were studied.The distribution of indium within the MQWs is changed by inserting the InGaN/GaN SL.Meanwhile,the average indium content of MQW does not change.Two InGaN-related peaks that were clearly found in the electroluminescence（EL） and photoluminescence（PL） spectrum,which are assigned to In-rich quantum dots（QD） and the InGaN matrix,respectively.It is suggested that the carrier drifts from the InGaN matrix to the In-rich QD.It could be concluded that employing SL structures is an effective way to adjust the wavelength of InGaN/GaN MQW without introducing new defects in the MQWs.

关 键 词：INGAN/GAN多量子阱 超晶格 电致发光 光致发光 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]