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预成核对蓝宝石衬底上生长氮化镓低温层的影响: 《真空科学与技术学报》2023年第2期149-155,共7页孔锐苏兆乐胡小涛宋祎萌李阳锋谭庶欣江洋; 国家自然科学基金项目(62074087,61874007)。; 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术以气相源的热分解反应作为基础,其适合规模化生产,是现今生长半导体材料的主要制备方式。在MOCVD生长GaN的过程中,衬底表面初始条件直接影响到材料成核与生长,因此对于外延生长非常关键。本论文研究了...; 关键词：GaN成核高温表面预成核 AlN成核成核岛 MOCVD

量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀): 《红外与激光工程》2021年第1期52-57,共6页岳琛杨浩军吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋马紫光王文新贾海强陈弘; 国家自然科学基金(61991441,11574362,61210014,11374340,11474205);国家科技支撑计划(2016YFB0400302)。; 在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出。通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流。对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)...; 关键词：探测器量子阱载流子输运

基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器被引量：1: 《物理学报》2018年第12期216-227,共12页刘洁王禄孙令王文奇吴海燕江洋马紫光王文新贾海强陈弘; 国家自然科学基金(批准号:11574362;61210014;11374340;11474205);国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400302)资助的课题~~; 实验发现p-n结中局域载流子具有极高抽取效率,同时伴随着吸收系数的大幅度增加.本文报道上述现象的发现和验证过程,以及基于此现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器(interband transition quantum well infrared detector,IQWIP)原型器...; 关键词：带间跃迁 P-N结载流子输运光致发光

1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池: 《科学通报》2017年第26期3044-3049,共6页王文奇王禄江洋马紫光孙令刘洁王文新贾海强陈弘; 国家自然科学基金(11574362;61210014;11374340;11474205);北京市科技计划(Z151100003515001)资助; 三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15G...; 关键词：量子点 Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池

基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2017年第2期129-134,共6页刘洁王禄江洋马紫光王文奇孙令贾海强王文新陈弘; Supported by the National Natural Science Foundation of China(11574362,61210014,11374340,and 11474205);Innovative Clean-Energy Research and Application Program of Beijing Municipal Science and Technology Commission(Z151100003515001); 近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 n...; 关键词：铟镓砷/砷化镓带间跃迁光子探测器

具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性被引量：5: 《发光学报》2011年第11期1152-1158,共7页王小丽王文新江洋马紫光崔彦翔贾海强宋京陈弘; 国家自然科学基金(60877006;60890192/F0404;50872146);科技部"973"计划(2010CB327501)资助项目; 研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光...; 关键词：INGAN/GAN多量子阱超晶格电致发光光致发光

SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响(英文)被引量：4: 《发光学报》2011年第10期1014-1019,共6页马紫光王文新王小丽陈耀徐培强江洋贾海强陈弘; Project supported by National Natural Science Foundations(5087214,60890192/F0404);the Chinese Science and Technology Ministry(973,2010CB327501)~~; 系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学...; 关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN SINX 高分辨X射线衍射

国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10: 《发光学报》2011年第9期896-901,共6页陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘; 国家自然科学基金(50872146;60877006;60890192/F0404);科技部973(2010CB327501)资助项目; 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 ar...; 关键词：GAN ALN SIC衬底 MOCVD X射线衍射

以创新技术推动LED照明产业的发展被引量：4: 《新材料产业》2011年第1期72-74,共3页陈弘江洋王文新; LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种直接将电子转换成光子的半导体器件。20世纪90年代以来，以氮化镓（GaN）基白光发光二极管为核心的半导体照明技术在世界范围内得到了迅猛发展，被视为是继白炽灯和荧光灯之后的下一代...; 关键词：照明产业创新技术半导体照明技术白光发光二极管 LED 半导体器件电子转换世界范围

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