国内首款6500V IGBT芯片研制取得突破性成果  

出　　处：《电力电子》2011年第5期4-4,共1页Power Electronics

摘　　要：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

关 键 词：功率IGBT 上海华虹NEC电子有限公司 国内 芯片 突破性 绝缘栅双极晶体管 制取 合作伙伴 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]