功率IGBT

作品数:28被引量:19H指数:3
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不同功率IGBT的驱动技术要点分析
《科学大众(科技创新)》2021年第4期179-179,182,共2页周卓 
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代生产生活中有着重要的应用。在实际使用过程中,IGBT模块需要应用到驱动电路。由于相关技术的限制,现有IGBT模块的驱动技术存在一定的问题和不足。为了推动IGBT模块的应用和发展,文章通过分析IGBT模块的...
关键词:IGBT 驱动电路 小型化 大功率 
功率IGBT模块测试设备脉冲高压参数校准技术研究被引量:4
《电测与仪表》2017年第16期106-109,共4页张小东 刘冲 
为了避免器件温升对参数测量造成影响,"脉冲测试法"被广泛应用于功率IGBT模块的静态和动态参数测试中。该类设备内部单脉冲高压源脉冲宽度为50μs时脉冲的高压幅度可达7 k V以上,如何对该单脉冲高压源进行校准是一个技术难题。研制了脉...
关键词:功率IGBT模块 脉冲测试法 脉冲高压 测量不确定度 
高性能功率IGBT关键技术
《军民两用技术与产品》2015年第17期42-43,共2页
技术开发单位 西安卫光科技有限公司 技术简介 功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是新一代大功率半导体器件,具有开关迅速、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等优点,可使电路在更高的频率下工作,减小变压器的体积和重量,使驱...
关键词:功率IGBT 技术 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 性能 驱动电路 安全工作区 温度稳定性 
功率IGBT的驱动保护及其应用技术
《广播电视信息》2015年第11期78-79,共2页董平 
本文针对目前功率IGBT的驱动保护及应用中存在的问题,提出了解决IGBT驱动保护及应用的措施。
关键词:IGBT 驱动保护 问题 措施 
简介IGBT模块、功率集成IGBT和智能化IGBT(三)
《UPS应用》2015年第10期49-52,共4页曲学基 
随着电力电子技术的发展,在电力电子设备中,广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块,集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块,功率集成IGBT(PIM)和智能化IGBT(IPM)的结构和应用实例。
关键词:IGBT模块 功率集成 智能化 电力电子技术 电力电子设备 功率IGBT 功率模块 第三代 
简介IGBT模块、功率集成IGBT和智能化IGBT(二)
《UPS应用》2015年第9期48-53,共6页曲学基 
随着电力电子技术的发展,在电力电子设备中,广泛应用IGBT模块,IGBT模块是先进的第三代功率模块,集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块、功率集成IGBT(PIM)和智能化IGBT(IPM)的结构和应用实例。
关键词:IGBT模块 功率集成 智能化 电力电子技术 电力电子设备 功率IGBT 功率模块 第三代 
简介IGBT模块、功率集成IGBT和智能化IGBT(一)
《UPS应用》2015年第8期42-47,共6页曲学基 
随着电力电子技术的发展,在电力电子设备中,广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块,集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向,本文简介IGBT模块.功率集成IGBT(PIM)和智能化IGBT(IPM)的结构和应用实例。
关键词:IGBT模块 功率集成 智能化 电力电子技术 电力电子设备 功率IGBT 功率模块 第三代 
几种功率IGBT驱动电路的比较分析被引量:4
《中国农机化学报》2014年第6期118-122,共5页卢震宇 张全柱 张立伟 马红梅 
中央高校基金科研业务费资助(3142012036;3142013101)
以"SS4B"型电力机车辅助变流器的研制为背景,重点研究其后级逆变器的驱动电路。对目前市场上较为流行的几款IGBT驱动芯片进行拓扑设计,并对各个驱动方案进行比较分析,最终采用以IGD515为核心的驱动电路为辅助变流系统后级逆变器的驱动...
关键词:辅助变流器 逆变器 IGBT 驱动电路 
自然风冷条件下的小功率IGBT建模与仿真被引量:1
《肇庆学院学报》2013年第2期33-36,共4页杨湘木 
采用一种计算IGBT损耗的方法,通过测量IGBT工作时的功率,计算出功率模块的通态损耗和开通、关断损耗.考虑了温度对损耗计算的影响,并以此为基准利用ANSYS热分析软件建立了模型.根据仿真所得IGBT工作时的热分布云图,设计了一种适合功率...
关键词:IGBT 损耗 热分析 散热器 
国内首款6500V IGBT芯片研制取得突破性成果
《电力电子》2011年第5期4-4,共1页
世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布,公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所(以下简称“微电子所”)通力合作,开发的6500VTrenchFSIGBT(沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管...
关键词:功率IGBT 上海华虹NEC电子有限公司 国内 芯片 突破性 绝缘栅双极晶体管 制取 合作伙伴 
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