超导量子比特中铝超导隧道结的性能  

作　　者：沈丹丹[1] 朱冉[1] 许伟伟[1] 常俊杰[1] 吉争鸣[1] 孙国柱[1] 曹春海[1] 陈健[1] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院,超导电子学研究所,南京210093

出　　处：《科学通报》2011年第34期2923-2927,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2011CBA00107,2009CB929602);国家自然科学基金(10874074,61027008);教育部博士基金(200802840031)资助项目

摘　　要：超导隧道结约瑟夫森结是超导量子比特的基本元件.用双层光刻胶构成悬空掩模,用电子束斜蒸发的方法制备Al/Al2O3/Al隧道结,用一定的氧气气压氧化铝膜作为势垒层.势垒层质量直接影响铝超导隧道结的各项电学参数.深入研究了铝超导隧道结的超导临界电流密度Jc和面积归一化电阻Rc(正常态电阻RN与结面积的乘积)与势垒层生长条件的关系,通过改变势垒层生长的氧分压与氧化时间来控制铝超导隧道结的Jc和Rc,以使此工艺所制备的铝隧道结漏电流小,结参数易于控制,满足制备超导量子比特的要求.

关 键 词：Al/Al2O3/Al超导 隧道结 电子束蒸发 超导量子比特 

分 类 号：O511[理学—低温物理]