SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应  

Substrate Assisted Depletion Effect in SJ-LDMOST

作　　者：成建兵[1] 

机构地区：[1]南京邮电大学微电子系,江苏南京210046

出　　处：《电子产品世界》2011年第12期30-31,共2页Electronic Engineering & Product World

基　　金：江苏省自然科学基金资助(BK2011753)

摘　　要：本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径。

关 键 词：SJ-LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]