AZO薄膜制备工艺及其性能研究  

Research on Preparation Technology and Properties of AZO Thin Films

作　　者：黄稳[1] 余洲[1] 张勇[1] 刘连[1] 黄涛[1] 闫勇[1] 赵勇[1,2] 

机构地区：[1]西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,成都610031 [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院

出　　处：《材料导报》2012年第1期35-39,共5页Materials Reports

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金(SWJTU09BR155);国际自然科学基金(50588201;50872116);国家高科技项目(863)(2007AA03Z203);高等学校博士点专项科研基金(SRFDP200806130023);长江学者与创新团队计划(IRT0751)

摘　　要：综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。The preparation technology and opto-electrical properties of AZO thin films are reviewed. The in- fluences of magnetron sputtering parameters such as substrate temperature, sputtering power, gas pressure, sputtering time, distance between substrate and target, negative bias and so on on the structural and opto-electrical properties of AZO thin films are summarized. Moreover, the key problems and the challenges of the present researches are discussed and the possible future developments are given.

关 键 词：AZO 结构特性 光电特性 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]