一种铝悬空膜的制作  

作　　者：汪继芳[1] 简崇玺[1] 王文婧[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2011年第4期11-14,共4页

摘　　要：悬空膜技术是MEMS器件制作中的一项基础工艺技术，它利用不同材料在同一种腐蚀液（或腐蚀气体）中腐蚀速率的差异，选择性地将结构图形与衬底之间牺牲层材料刻蚀掉，形成空腔膜或其它悬空结构，构成器件的敏感区域。这种悬空膜技术已成为MEMS工艺技术研究领域中的一个热点。通过深槽刻蚀、深槽填充、表面平坦化、释放牺牲层等工艺可以构成一种硅基铝悬空膜的制作流程，使用该流程完成的铝悬空膜达到了制作敏感结构的要求。

关 键 词：铝悬空膜 深槽刻蚀 牺牲层 

分 类 号：TN948.13[电子电信—信号与信息处理]