闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态及带间光跃迁  

Exciton States and Interband Optical Transition Energy in Zinc-Blende GaN/AlGaN Quantum Well

作　　者：蒋逢春[1] 李俊玉[1] 苏玉玲[1] 张志峰[1] 

机构地区：[1]郑州轻工业学院技术物理系,河南郑州450002

出　　处：《河南大学学报（自然科学版）》2012年第1期20-23,共4页Journal of Henan University:Natural Science

基　　金：河南省科技厅基础与前沿技术研究(102300410108);河南省教育厅自然科学研究计划项目(2011A140028);郑州轻工业学院重大预研基金项目(2009XYYJJ006)

摘　　要：基于有效质量近似,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的激子态及带间光跃迁随闪锌矿GaN/AlGaN量子阱结构参数的变化关系,考虑电子与空穴在其量子阱中的有限势效应.数值计算结果显示出当量子阱的尺寸增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能降低,而当闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中垒层材料AlGaN中Al含量增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能增加.Within the framework of effective-mass approximation,exciton states and interband optical transition in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well are investigated by means of a variational approach,including finite band offsets.Numerical results show that both the exciton binding energy and the interband emission energy decrease when zinc-blende GaN/AlGaN quantum well width increases.Moreover,the exciton binding energy and the interband emission energy increase when Al content of barrier layer increases zinc-blende GaN/AlGaN quantum well.

关 键 词：激子 量子阱 GAN 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]