检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601
出 处:《电子工业专用设备》2012年第1期12-15,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing
基 金:国家02重大专项(项目编号:2009ZX02011-005A)
摘 要:化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技术原理、晶片夹持、抛光台温度控制、抛光垫修整、终点检测、抛光后清洗等技术以及未来对国内CMP设备的展望。A true global planarization can be achieved only by CMP technology right now,and it is used more and more widely in semiconductor field.It introduces the theory of CMP technology,wafer clamping,temperature control of polishing table,pad conditioning,end-point detection,rinse technology after CMP and a future prospect of domestic CMP equipment.
关 键 词:化学机械抛光(CMP) 夹持 温度控制 终点检测 清洗
分 类 号:TN305.2[电子电信—物理电子学]
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