碳化硅表面高温改性法热场模拟研究  

作　　者：吴华[1] 王利杰[1] 孙希鹏[1] 黄森鹏[1] 孙信华[1] 于茫[1] 陆东梅[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《科技创新导报》2012年第1期14-16,共3页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。

关 键 词：石墨烯 热场模拟 石墨坩埚 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]