王利杰

作品数：8被引量：28H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：碳化硅籽晶SIC碳化高温更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料》《半导体技术》《科技创新导报》《硅酸盐学报》更多>>
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碳化硅智能制造系统综述被引量：1
《自动化应用》2021年第3期13-16,19,共5页于凯 王利杰 刘金鑫 
国内高纯半绝缘碳化硅单晶未能实现工程化的原因,在于生产效率和产品的一致性较差,因此提出了建立碳化硅智能制造平台这一解决途径,以提高晶体生产效率和产品的一致性为目标,以数据监控等为基础,建立基于模型的仿真方法,采用生长过程仿...
关键词：碳化硅 智能制造 数据监控 模拟仿真 自适应控制 
碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究被引量：1
《自动化应用》2021年第2期1-3,6,共4页于凯 王利杰 刘金鑫 
针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空...
关键词：碳化硅 单晶生长 模糊PID 压力控制 晶体质量 
高温化学气相沉积法制备致密碳化钽涂层被引量：4
《功能材料》2017年第6期6183-6186,6192,共5页张丽 齐海涛 徐永宽 王利杰 史月增 刘金鑫 
采用高温化学气相沉积法(CVD)在高纯高密石墨基片的表面沉积了碳化钽(TaC)涂层。通过研究气化温度、气体流量及沉积温度对TaC涂层表面质量的影响,确定了高温CVD法制备TaC涂层的工艺参数,最终获得高致密度的TaC涂层。
关键词：高温CVD TAC涂层 工艺条件 
偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶被引量：2
《半导体技术》2013年第6期469-473,共5页齐海涛 王利杰 洪颖 王香泉 张志欣 郝建民 
采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶...
关键词：氮化铝 物理气相传输法(PVT) 碳化硅籽晶 偏晶向 形貌分析 
物理气相传输法制备大面积AlN单晶被引量：13
《硅酸盐学报》2013年第6期803-807,共5页齐海涛 洪颖 王香泉 王利杰 张志欣 郝建民 
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶...
关键词：氮化铝单晶 物理气相传输法 碳化硅籽晶 
SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
《科技创新导报》2012年第2期8-9,共2页吴华 王利杰 孙希鹏 黄森鹏 孙信华 陆东梅 
石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G...
关键词：SIC 石墨烯 拉曼光谱 AFM 
碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
《科技创新导报》2012年第1期14-16,共3页吴华 王利杰 孙希鹏 黄森鹏 孙信华 于茫 陆东梅 
SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难...
关键词：石墨烯 热场模拟 石墨坩埚 
3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制被引量：6
《半导体技术》2011年第1期8-10,共3页王利杰 冯玢 洪颖 孟大磊 王香泉 严如岳 
报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3...
关键词：3英寸(75 mm) 4H—SiC 电阻率 微管道缺陷 半高宽 
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