孙信华

作品数：4被引量：10H指数：2
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石墨烯的SiC外延生长及应用(续)被引量：2
《半导体技术》2012年第10期745-749,775,共6页陆东梅 杨瑞霞 孙信华 吴华 郝建民 
3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样...
关键词：外延生长 X射线光电子能谱 SIC 应用 石墨 X光照射 能谱分析 自由电子 
石墨烯的SiC外延生长及应用被引量：6
《半导体技术》2012年第9期665-669,共5页陆东梅 杨瑞霞 孙信华 吴华 郝建民 
碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富发展潜力。从SiC不同极性面石墨...
关键词：石墨烯 SIC 外延 缓冲层 场效应晶体管 
SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
《科技创新导报》2012年第2期8-9,共2页吴华 王利杰 孙希鹏 黄森鹏 孙信华 陆东梅 
石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G...
关键词：SIC 石墨烯 拉曼光谱 AFM 
碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
《科技创新导报》2012年第1期14-16,共3页吴华 王利杰 孙希鹏 黄森鹏 孙信华 于茫 陆东梅 
SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难...
关键词：石墨烯 热场模拟 石墨坩埚 
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