SiC表面高温改性法生成石墨烯研究  

作　　者：吴华[1] 王利杰[1] 孙希鹏[1] 黄森鹏[1] 孙信华[1] 陆东梅[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《科技创新导报》2012年第2期8-9,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G)≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。

关 键 词：SIC 石墨烯 拉曼光谱 AFM 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]