张志欣

作品数：2被引量：13H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：籽晶碳化硅PVT氮化铝形貌分析更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《硅酸盐学报》更多>>
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偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶被引量：2
《半导体技术》2013年第6期469-473,共5页齐海涛 王利杰 洪颖 王香泉 张志欣 郝建民 
采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶...
关键词：氮化铝 物理气相传输法(PVT) 碳化硅籽晶 偏晶向 形貌分析 
物理气相传输法制备大面积AlN单晶被引量：13
《硅酸盐学报》2013年第6期803-807,共5页齐海涛 洪颖 王香泉 王利杰 张志欣 郝建民 
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶...
关键词：氮化铝单晶 物理气相传输法 碳化硅籽晶 
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