冯玢

作品数：14被引量：19H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：SIC碳化硅碳化硅单晶半绝缘电阻率更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《兵器材料科学与工程》《半导体技术》《电子工业专用设备》《中国电子科学研究院学报》更多>>
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SiC单晶片的激光标识技术研究被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第3期32-34,共3页王添依 冯玢 
研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化。确定了激光功率为50%,标刻速度为100 mm/s,频率为20 k Hz,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的...
关键词：碳化硅单晶 激光加工 激光标识 
游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比
《电子工业专用设备》2014年第10期5-7,13,共4页王磊 王添依 张弛 张海磊 冯玢 
通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线...
关键词：多线切割机 SiC晶锭 游离磨粒 金刚石切割线 
碳化硅晶体中异质包裹物与微管道缺陷的关系被引量：1
《兵器材料科学与工程》2013年第6期72-75,共4页孟大磊 徐永宽 冯玢 郝建民 
对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管...
关键词：日碳化硅 Gibbs函数 异质包裹物 微管 
碳化硅衬底精密加工技术被引量：1
《电子工业专用设备》2013年第5期23-26,64,共5页冯玢 潘章杰 王磊 郝建民 
介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 mm(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术,该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数测试仪、强光灯、微分干涉显微镜(DIC)、原子力显微镜(AFM)、扫...
关键词：碳化硅衬底 精密加工 多线切割 研磨 抛光 粗糙度 
SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究被引量：3
《电子工业专用设备》2013年第4期19-23,共5页潘章杰 冯玢 王磊 郝建民 
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并...
关键词：碳化硅 (0001)Si面 (000 1)C面 化学机械抛光(CMP) 材料去除速率 粗糙度 
PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究
《电子工业专用设备》2012年第6期31-34,共4页洪颖 冯玢 王磊 吴华 郭俊敏 杜萍 
在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过...
关键词：SIC 电阻率 均匀性 COREMA SIMS 
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制被引量：1
《中国电子科学研究院学报》2011年第4期432-435,共4页王利杰 洪颖 齐海涛 冯玢 王香泉 郝建民 严如岳 
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目...
关键词：3英寸6H-SiC 物理气相传输法 高纯半绝缘 氮掺杂 碳空位 
掺V6H-SiC单晶生长表面V析出相研究
《半导体技术》2011年第2期124-126,143,共4页洪颖 郝建民 冯玢 王香泉 章安辉 
采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究...
关键词：6H-SIC 掺钒 单晶生长表面 钒析出相 分布规律 
3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制被引量：6
《半导体技术》2011年第1期8-10,共3页王利杰 冯玢 洪颖 孟大磊 王香泉 严如岳 
报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3...
关键词：3英寸(75 mm) 4H—SiC 电阻率 微管道缺陷 半高宽 
物理汽相传输法生长掺钒碳化硅单晶新鲜表面的实验研究
《现代仪器》2010年第3期75-76,79,共3页王香泉 洪颖 章安辉 冯玢 郝建民 严如岳 
采用SEM观察物理汽相传输(PVT)法生长掺钒SiC单晶新鲜表面时,发现有特定形状的析出相,经SIMS、SEM能谱(EDX)、XRD、台阶仪综合分析,确定析出相的主要成分是钒,且是凸起的,推断其在单晶生长降温过程中产生。
关键词：SIC 掺钒 PVT 新鲜表面 SEM SIMS 
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