洪颖

作品数：1被引量：1H指数：1
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发文主题：6H-SIC碳氮掺杂空位英寸更多>>
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3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制被引量：1
《中国电子科学研究院学报》2011年第4期432-435,共4页王利杰 洪颖 齐海涛 冯玢 王香泉 郝建民 严如岳 
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目...
关键词：3英寸6H-SiC 物理气相传输法 高纯半绝缘 氮掺杂 碳空位 
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