杜萍

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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究
《电子工业专用设备》2012年第6期31-34,共4页洪颖 冯玢 王磊 吴华 郭俊敏 杜萍 
在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过...
关键词：SIC 电阻率 均匀性 COREMA SIMS 
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