潘章杰

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：粗糙度CMPSICSI化学机械抛光更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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碳化硅衬底精密加工技术被引量：1
《电子工业专用设备》2013年第5期23-26,64,共5页冯玢 潘章杰 王磊 郝建民 
介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 mm(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术,该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数测试仪、强光灯、微分干涉显微镜(DIC)、原子力显微镜(AFM)、扫...
关键词：碳化硅衬底 精密加工 多线切割 研磨 抛光 粗糙度 
SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究被引量：3
《电子工业专用设备》2013年第4期19-23,共5页潘章杰 冯玢 王磊 郝建民 
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并...
关键词：碳化硅 (0001)Si面 (000 1)C面 化学机械抛光(CMP) 材料去除速率 粗糙度 
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