碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究  

Research on pressure fuzzy PID control of silicon carbide crystal growth

作　　者：于凯[1] 王利杰[1] 刘金鑫[1] YU Kai;WANG Lijie;LIU Jinxin

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所研究与发展部,天津300220

出　　处：《自动化应用》2021年第2期1-3,6,共4页Automation Application

摘　　要：针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。

关 键 词：碳化硅 单晶生长 模糊PID 压力控制 晶体质量 

分 类 号：TP23[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]