直流反应磁控溅射TiN薄膜表面形貌研究  

作　　者：李丽[1] 吴卫[2] 杨翠丽[1] 

机构地区：[1]齐齐哈尔工程学院机电系,黑龙江齐齐哈尔151006 [2]西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039

出　　处：《赤子》2012年第2期179-179,共1页

基　　金：“十五”国家863项目（No.2002AA324010）.

摘　　要：研究溅射电流对TiN薄膜表面形貌的影响。结果表明：当其他参数不变的情况下，薄膜表面粗糙度（RMS）随电流的增大先变大后变小。在电流达到3A时，粗糙度达到最小值。Reserch the effection of sputtering current on TiN film sputtered by DC reaction magnetron sputtering.The result shows that RMS of film surface turns up then down with the current.The value of RMS gets minimum when the current is 3A.

关 键 词：TIN薄膜 反应磁控溅射 AFM RMS 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]