用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉  

High Vacuum Chemical Vapour Deposition Furnace for the Growth of Si_(1-x)Ge_x Heterostructure Epitaxial Material

作　　者：谢自力[1] 陈桂章[1] 洛红[1] 过海洲 严军[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《半导体技术》2000年第3期54-56,59,共4页Semiconductor Technology

基　　金：电科院预研基金项目

摘　　要：研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。The high vacuum chemical vapour deposition(HV CVD)furnace has been deve loped for the growth of Si 1-x Ge x heterostructure material.The constitution,construction and design principle of the HV CVD furnace are described.The conclusion of the Si 1-x Ge x he terostructure epitaxial layer using this furnace has been given.

关 键 词：异质结 高真空化学汽相外管 薄膜 外延生长 硅 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]