陈桂章

作品数：3被引量：2H指数：0
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：管材料电调硅SI高真空更多>>
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用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉被引量：1
《半导体技术》2000年第3期54-56,59,共4页谢自力 陈桂章 洛红 过海洲 严军 
电科院预研基金项目
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
关键词：异质结 高真空化学汽相外管 薄膜 外延生长 硅 
宽带常γ线性电调管材料研究
《固体电子学研究与进展》1993年第1期60-63,共4页陈桂章 尤民 
报导了宽带常γ线性电调管材料的研制技术及研究结果,给出了材料的多层浓度分布曲线。介绍了用该材料研制的WB70型宽带常γ线性电调管和WB010型砷化镓电调管管芯等器件结果。文中对宽带常γ线性电调管材料的质量进行了讨论。结果表明,...
关键词：砷化镓 汽相外延 生长速率 电调管 
常γ电调管材料质量影响因素的探讨被引量：1
《固体电子学研究与进展》1990年第4期379-385,共7页陈桂章 
本文报道了GaAs常γ电调变容管材料的研究.文中分析了GaAs单晶衬底的质量对外延层表面形貌和外延层-衬底间界面状态的影响;研究了外延工艺条件与外延层浓度分布的关系;讨论了外延层载流子浓度分布对器件C-V特性的影响.文中还给出了材料...
关键词：常r电调管 庄控振荡器 GAAS 
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