严军

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：硅半导体技术CVD生长锗SI更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《微电子学》《半导体技术》更多>>
所获基金：电科院预研基金更多>>
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VLP/CVD低温硅外延被引量：3
《微电子学》2001年第5期357-359,共3页谢自力 陈桂章 洛红 严军 
研究了 VLP/ CVD低温硅外延生长技术。利用自制的 VLP/ CVD设备 ,在低温条件下 ,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料。扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明 ,在低温下 (T<80 0°C)应用 VLP/ CVD技术 ,可以生长结构完好...
关键词：低温外延 VLP/CVD 杂质分布 硅 半导体技术 
用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉被引量：1
《半导体技术》2000年第3期54-56,59,共4页谢自力 陈桂章 洛红 过海洲 严军 
电科院预研基金项目
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
关键词：异质结 高真空化学汽相外管 薄膜 外延生长 硅 
低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料被引量：1
《半导体杂志》1999年第4期1-5,共5页谢自力 陈桂章 洛红 过海洲 严军 
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃和５７５℃不同温度分别生长了Ｓｉ０－８Ｇｅ０－２ ，Ｓｉ０－５ Ｇｅ０－５ 和...
关键词：化学气相淀积 锗 硅 异质结构 生长 外延材料 
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