Diodes新型MOSFET离板高度减半  

出　　处：《电源技术应用》2012年第5期I0005-I0005,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：Diodes Incorporated推出一系列采用薄型DFN2020—6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0．4毫米，

关 键 词：MOSFET 板 N通道 封装 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]