Diodes新型MOSFET离板高度减半  

出　　处：《电子元器件应用》2012年第5期69-69,共1页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：Diodes Incorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,

关 键 词：MOSFET 板 N通道 封装 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]