磁场对不同半导体异质结构负施主中心的影响  

The magnetic effect for negative donor in different hetero-structures

作　　者：张晓燕[1] 董鸿飞[2] 

机构地区：[1]内蒙古工业大学理学院物理系,内蒙古呼和浩特010051 [2]内蒙古赤峰学院建筑与机械工程学院,内蒙古赤峰024000

出　　处：《集宁师专学报》2011年第4期7-9,共3页Journal of Jining Teachers College

基　　金：国家自然科学基金(No.11062008)

摘　　要：讨论了两种半导体异质结构中负施主中心(D)能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe(ZnSe)和GaAs(GaP)半导体异质界面上D的束缚能的影响。A theoretical study of the negative-donor center at the hetero-interface of different kinds of polar crystals in a magnetic field is presented. The binding energy of a spin triplet state of the Dcenter is calculated by a variational approach. The polaron correction to the D- state is discussed. Numerical results are produced for the heterostructure of CdSe（ZnSe） and GaAs（GaP）.

关 键 词：施主中心 束缚能 电子-声子相互作用 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理]