μPA2600等:功率MOSFET  

在线阅读下载全文

出  处:《世界电子元器件》2012年第6期34-34,共1页Global Electronics China

摘  要:瑞萨电子株式会社推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)产品,适用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有低功耗(低导通电阻),器件包括20V(VDSS)μPA2600和30VμPA2601,配置了超紧凑型2mm×2mm封装。

关 键 词:功率MOSFET 便携式电子产品 低导通电阻 金属氧化 株式会社 智能手机 N通道 低功耗 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象