不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应  

Total dose irradiation effects of CMOS SRAM under different bias conditions

作　　者：卢健[1,2] 余学峰[1] 李明[1,2] 张乐情[1,2] 崔江维[1,2] 郑齐文[1,2] 胥佳灵[1,3] 

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [2]中国科学院研究生院,北京100049 [3]新疆大学,乌鲁木齐830046

出　　处：《核技术》2012年第8期601-605,共5页Nuclear Techniques

摘　　要：通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。By studying the total ionizing dose effect of commercial CMOS static random access memory （SRAM） under seven bias conditions, including static and dynamic state, the relationship of power dissipation current and functional error number versus total ionizing dose are obtained. The results show that bias condition has great influences on degradation of SRAM. Compared to the five static bias conditions, the dynamic operating state is relatively not sensitive to irradiation, with larger failure threshold dose. Total dose effect of SRAM is of the imprinting kind, and the stored state has significant influences on its irradiation damage effects.

关 键 词：静态随机存储器 总剂量效应 不同偏置条件 辐射损伤 印记现象 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.1