ASIC新思维:从2D到3D——TSV的挑战与未来  

作　　者：林崇铭 

机构地区：[1]创意电子公司SiP/3D IC专案处

出　　处：《集成电路应用》2012年第7期24-25,35,共3页Application of IC

摘　　要：随着集成电路工艺从微米向纳米迈进，将平面IC往立体或三维发展的硅穿孔（TSV）技术应运而生。在向3D发展进程中，2．5D技术以优越的性能和更低的成本可以满足当前设计要求。

关 键 词：ASIC 3D TSV 2D 集成电路工艺 技术 硅 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]