p型掺杂ZnO薄膜的研究进展  

Recent progress on p-type doping ZnO thin films

作　　者：肖立娟[1] 赵鹤平[1] 李长山[1] 郝佳伟[1] 

机构地区：[1]吉首大学物理与机电工程学院,湖南吉首416000

出　　处：《真空》2012年第4期78-82,共5页Vacuum

基　　金：湖南省研究生科研创新项目(CX2011B399);湖南省自然科学基金(09JJ6011);湖南省高等学校科研基金(08A055)

摘　　要：近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄膜制备的难点及其解决方法,综述了其最新研究进展,并对p型ZnO的研究进行了展望。In recent years,with the development of optical properties of ZnO and its application in the optoelectronics field,preparation of reliable,stable and low-resistivity p-type ZnO films become a research hotspot.This article discusses the problem why p-type is difficult to dope in ZnO thin films and the solutions.Recent advance of p-type ZnO films are summarized and the preparation trends are predicted.

关 键 词：ZNO薄膜 光电性质 P型掺杂 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN304[理学—物理]