铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展：生长行为与控制制备  

作　　者：马来鹏[1] 任文才[1] 董再励[2] 刘连庆[2] 成会明[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳110016 [2]中国科学院沈阳自动化研究所机器人学国家重点实验室,沈阳110016

出　　处：《科学通报》2012年第23期2158-2163,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(51102241);机器人学国家重点实验室开放课题(RLO201012)资助

摘　　要：以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、层数均一等优点,已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法.本文围绕铜表面CVD控制生长石墨烯,结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识,介绍了质量提高、层数控制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展,并展望了该方法制备石墨烯的可能发展方向,包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制生长等.

关 键 词：石墨烯 控制生长 化学气相沉积 铜基体 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学]