磁控溅射纳米VO_2(B相)热敏薄膜的制备  

Preparation and Characterization of Thermal Sensitive VO_2(B Phase) Films by Magnetron Sputtering

作　　者：何少伟[1] 陈鹏杰[1] 胡庆[1] 董翔[1] 蒋亚东[1] 赖建军[2] 王宏臣[2] 黄光[2] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [2]武汉国家光电实验室,武汉430074

出　　处：《半导体光电》2012年第4期500-502,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：创新研究群体科学基金项目(61021061)

摘　　要：利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄膜的方块电阻为50kΩ左右,电阻温度系数为-2.4%/K,可以作为非致冷红外微测热辐射热计的热敏材料。VO2 （B） thin films were fabricated by magnetron sputtering under lowtemperature of 250 ℃. XRD test shows the thin films contain VOz （B） mostly and some V2O5.The sheet resistance of the films was detected to be about 50 kΩ under room temperature and the temperature coefficient of resistance （TCR） is near --0. 024/, showing the films can be used as thermal sensitive material for uncooled IR microbolometers.

关 键 词：二氧化钒薄膜 磁控溅射 微测辐射热计 非致冷红外探测器 电阻温度系数 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]