GaAs＆GaN混合型高效率固放设计  

作　　者：徐海一 陈鸿义 

出　　处：《无线电技术（上海）》2012年第1期96-108,共13页

摘　　要：在卫星、雷达和通信等领域，采用传统硅（si）和砷化镓（GaAs）等器件的设计方法有负载线法和大信号S参数方法等，但它们通常存在设计误差大和后续调试困难的技术瓶颈，而本文通过数学分析得到最佳理论设计值，再结合仿真软件进行高精度的匹配设计和PAE（功率附加效率）敏感度分析，最终实现末级S频段峰值PAE达75％的CaN逆F类功率放大器，所实现的“GaAs＆GaN混合型”级联固放功率效率达到50%经上。

关 键 词：固态功率放大器 逆F类 GAN HEMT Gahs&GaN 混合型 高效率 

分 类 号：TN722.7[电子电信—电路与系统]